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      CIGS太陽(yáng)能電池中的吸收
      時(shí)間:2022-10-07 20:26來(lái)源:訊技光電作者: 技術(shù)部點(diǎn)擊:次打印
      摘要

       
      太陽(yáng)能電池是可再生能源領(lǐng)域的一種基礎技術(shù)。為了優(yōu)化效率,大多數常見(jiàn)的設計使用薄膜結構和具有高吸收系數的介質(zhì)——因為正是這種吸收的光能最終會(huì )轉化為電流;阢~銦硒化鎵(CIGS)的太陽(yáng)能電池,與基于其他材料的電池相比,它們可以變得更薄而不損失吸收效率,因此已經(jīng)很普遍地使用了。

      建模任務(wù)
       
      300nm~1100nm的平面波均勻光譜
       
      系統來(lái)源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566
       
      探測器
       
      功率(吸收功率將通過(guò)兩個(gè)探測器的功率讀數之差計算)
       
      太陽(yáng)能電池
       
       
      *我們假設太陽(yáng)能電池是由一層帶有防反射涂層的熔融石英保護的。
       
      系統構建模塊-分層的介質(zhì)組件
       
       
      對于涂有涂層的反射鏡,我們使用分層介質(zhì)組件,因為它為x和y方向不變的膜層堆棧提供了一個(gè)快速和嚴格的解決方案。
       
      系統構建模塊-膜層矩陣求解器
      分層介質(zhì)組件采用膜層矩陣電磁場(chǎng)求解器。該求解器在空間頻域(k域)中工作。它包括:
      每個(gè)均質(zhì)層的特征值求解器。
      一個(gè)用于所有界面上的匹配邊界條件的s矩陣。
       
      特征值求解器計算每層均勻介質(zhì)在k域內的電場(chǎng)解。s-矩陣算法通過(guò)遞歸匹配邊界條件來(lái)計算整個(gè)膜層系統的響應。這是一種以其無(wú)條件數值穩定性而聞名的方法,因為與傳統的傳遞矩陣不同,它避免了計算步驟中的指數增長(cháng)函數。
       

       
      更多信息:
      層矩陣(S矩陣)
       
      系統構建模塊-已采樣的介質(zhì)
       
       
      VirtualLabFusion提供一個(gè)不同材料的綜合目錄,可以用于膜層。也可以從測量數據中導入材料數據。
       
      系統構建模塊-探測  
       
       
      總結——組件
       

       

       
      對不同厚度的CIGS層的吸收情況
       
        
      參考文獻:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured 
      Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566.
       
      CIGS層厚度變化量:100/150/200nm
       
      吸收材料的厚度是影響電池整體效率的最重要因素之一。
       

       
      拓展閱讀

      分層介質(zhì)組件
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